Svenska
TIL113, 4NXX-serien av enheter består var och en av en infraröd diod som är optiskt kopplad till en darlington-detektor. De är förpackade i ett 6-stifts DIP-paket och finns med breda elektrodavstånd och SMD-alternativ.
{01171051} {01171051} {7251} }
(1) 4NXX -serien: 4N29, 4N30, 4N31, {31365.8} 6558} TIL113 -serien : TIL113.
(2) Hög isolation spänning {31365565} mellan {8} ingång och utgång (Viso=5000 V rms)
(3) Krypning avstånd >7,62 {3136508} mm {4136558} }
(4) Driftstemperatur upp till +115°C {490908201}
(5) Kompakt dual-in-line paket (6) Säkerhet godkännande UL-godkänd (nr. E323844) VDE godkänd (nr. 40029733) CQC-godkänd (nr. CQC19001231480 ) (7) I överensstämmelse med RoHS5, {81365} REACH -standarder. (8) MSL Klass Ⅰ Instructions Lågeffektlogiska kretsar Telekommunikationsutrustning Bärbar elektronik Gränssnittskopplingssystem med olika potentialer och impedanser Max absolut nominellt värde (normal temperatur=25℃) Parameter Symbol Bedömt värde Enhet Indata Vidarebefordra ström IF 60 mA Korsningstemperatur TJ 125 ℃ Omvänd spänning VR 6 V Effektförlust (TA = 25°C) Nedstämplingsfaktor (över 100°C) PD 120 mW 3,8 mW/°C Utdata Kollektor-emitterspänning VD 80 V Kollektor-basspänning VCBO 80 Emitter-kollektorspänning VECO 7 Emitter-basspänning VEBO 7 Effektförlust (TA = 25°C) Nedstämplingsfaktor (över 100°C) PC 150 mW 6,5 mW/°C Total förbrukning av energi Ptot 200 mW *1 Isolationsspänning Viso 5000 Vrms Arbetstemperatur Topr -55 till +115 ℃ Deponeringstemperatur TSTG -55 till +150 *2 Lödtemperatur TSOL 260 *1. AC-test, 1 minut, luftfuktighet = 40~60 % Isoleringstestmetod enligt nedan: Kortslut båda uttagen på fotokopplaren. Ström vid test av isolationsspänning. Lägger till sinusvågsspänning vid testning *2. lödtiden är 10 sekunder. Parameter Symbol Min Typ.* Max Enhet Skick Indata Framspänning VF --- 1.2 1,5 V IF=10mA Omvänd ström IR --- --- 10 μA VR=6V Kollektorkapacitans Cin --- 50 --- pF V=0, f=1MHz Utdata Samlarbas mörk ström ICBO --- --- 20 nA VCB=10V Samlare till sändare Ström ICEO --- --- 100 nA VCE=10V, IF=0mA Collector-Emitter-dämpningsspänning BVCEO 55 --- --- V IC=1mA Kollektor-basnedbrytning Spänning BVCBO 55 --- --- V IC=0,1mA Emitter-kollektor-dämpningsspänning BVECO 7 --- --- V IE=0,1mA Transforming Characteristic s Aktuell överföringskvot 4N32,4N33 CTR 500 --- --- % IF=10mA VCE=10V 4N29,4N30 100 --- --- 4N31 50 --- --- TIL113 300 --- --- IF=10mAVCE=1V Samlar- och sändarmättnadsspänning 4N29, 4N30, 4N32,4N33 VCE(lör) --- --- 1.0 V IF=8mA IC=2mA 4N31,TIL113 --- --- 1.2 IF=8mA, IC=2mA Isolationsmotstånd Riso 1011 --- --- Ω DC500V 40~60%R.H. In-/utgångskapacitans CIO --- 0,8 --- pF VIO=0, f=1MHz Svarstid tr --- 3 10 μs VCC=10V, IC=10mARL=100Ω Nedstigningstid tf --- 6 10 μs Aktuell omvandlingskvot = IC / IF × 100 % Beställningsinformation
The TIL113, 4NXX series of devices each consist of an infrared emitting diode optically coupled to a darlington detector.They are packaged in ett 6-stifts DIP-paket och tillgängligt med brett elektrodavstånd och SMD-alternativ.
Applikationsintervall
Opto-elektroniska egenskaper
Artikelnummer {0117371} {0117371} {0117371} {0117371}
eller OR-TIL113Y-Z-W
Obs
{3XXN0,4N31,4N32eller4N33)
TIL113= Artikelnummer
Y = Lead form alternativ (S, M eller 9ne) {1} {00Nej0117351} Z = Tejp- och rullealternativ (TA,TA1 eller inget).
W= 'V'-kod för VDE-säkerhet (detta alternativ är inte nödvändigt).
*VDE-kod kan väljas.
Alternativ |
Beskrivning |
Förpackningskvantitet |
Inga |
Standard DIP-6 |
66 enheter per rör |
M |
Bred blyböj (0,4 tums mellanrum) |
66 enheter per rör |
S(TA) |
Ytmonterad blyform (låg profil) + TA-tejp och rullealternativ |
1000 enheter per rulle |
S(TA1) |
Ytmonterad blyform (låg profil) + TA1-tejp och rullealternativ |
1000 enheter per rulle |